随着世界各国在芯片为代表的高科技产业上激烈交锋，芯片的国产化就成为了摆在我们面前的重要课题。
虽然已经有不少国内厂商加入战局并取得了一些成果，但是在存储芯片产品上始终还是以中低端产品为主。
随着长江存储近期搞定PCIe 4.0 7GB/s速度的解决方案成功上市，代表国产存储产品已经可以进入高端领域进行竞争。
今天就带来阿斯加特AN4 1TB测试报告，这也是阿斯加特第一款PCIe 4.0 SSD，首发了长江存储128层堆叠TLC闪存芯片。
产品外观介绍：
打开包装就可以看到包装盒内部，上面提供了一张印有设计概念图的塑料卡。
阿斯加特提供了一把金属螺丝刀，比一般的塑料把小螺丝刀显得高级不少。
AN4默认安装一套散热片。
散热器整体高度比标准的更高，还是不能兼容PS5。
拆开SSD之后，可以看到正反面均配有导热垫。
PCB正反面可以看到AN4的整体布局，包含1颗主控、2颗缓存和4颗存储颗粒。
SSD的接口为M-Key M.2，支持PCIe 4.0。
SSD的主控为英韧科技提供的，一家国内的无晶圆制造厂商，型号为IG5236，是一款8通道主控芯片，标称参数上对标群联E18等7GB/s+速度的旗舰主控。
缓存为南亚科技的NT5AD256M16D4-HR，单颗容量512MB，两颗合计1GB。速度为DDR4 2666 C19。
存储颗粒为长江存储制造的Xtacking 2.0架构3D TLC颗粒，型号为YMN09TC1B1HC6C。
产品性能测试：
由于现在SSD充斥表面SSD，传统的跑分软件基本都沦陷。有介于此，这边启用了一套新的测试标准用于横向对比。
横向对比中统计的SSD经过全盘擦写和重新分区，消除新盘的鸡血状态。
连续读写性能选取HD TUNE的大文件读写测试，文件大小为50GB。
4K随机性能采用IOMETER混合读写，分别进行QD1的浅队列和QD32的深队列测试。因为日常使用中不会存在纯粹的读写行为，会在读写测试中反向混入25%的负载(例如读取测试中75%读取，25%写入)。
现在部分SSD会通过玩命调教固件来提升4K的随机数值，所以这边引入4K离散值统计来让那些表面SSD露出原型。公式中是对 SSD自身IOPS平均值计算离散程度，不会出现性能低的SSD，离散会较低的BUG。
离散测试是通过IOMETER来跑，测试前会先运行120秒预热，然后运行12分钟收集600个数据样本。所以我的离散测试会比较针对存储颗粒的自身性能。
IO延迟的部分则会采用AS SSD 10G文件测试，连续三次读写延迟的数据取平均值。
SSD测试共测试了5个模式，空盘PCH通道、空盘PCH通道+风扇、90%填充PCH通道、90%填充PCH通道+风扇、空盘CPU通道。横向对比的统计统一采用空盘PCH通道。
以下为横向对比统计的图表，从评分上来统计阿斯加特 AN4的性能是相当强，可以将将压住WD SN850。
AN4在调校方式上英韧的主控设计思路上很有意思，下文会具体分析。
值得分析一下为什么阿斯加特的AN4可以略微超过WD SN850。
今天用到的对比组是群联E16方案(希捷520 2TB 5000速度)、群联E18方案(E18只测过这个 7000速度)、SANDISK方案(WD SN850 7000速度)。
AN4对比SN850可以看到浅队列读写的性能AN4是明显强很多，但是深队列读写则会弱不少。在对比群联的两套方案同样可以看到类似的情况。
SN850在HDTUNE大文件写入上吃了大亏，虽然我已经降低了连续读写的权重，但还是造成了很大的影响。
结合之前测试联芸方案的海康威视SSD，可以发现国产主控芯片与现有的SSD方案有一个明显的不同之处，就是都选择拔高浅队列控制深队列的方式开案。这样确实带来一些额外的优势，在现有的跑分测试中有些讨巧。
不过我们即使单独只看深队列读写，AN4采用的英韧IG5236依然可以对标群联目前旗舰的E18主控。
所以即使用最严苛的目光去看，国产主控也已经做到了对标台系旗舰的水平，放心保熟。
从空盘PCH通道的测试来看，阿斯加特 AN4在空盘下的总体离散表现是较为不错的，在浅队列4K下读取会有小幅度的下降，其他都算不错。
5种模式的读写对比：
在浅队列下大家总体差别不大。
在深队列90%填充的情况下，有风扇模式性能掉了大约13%但离散度依然保持的比较好。在无风扇模式下性能掉了约14.5%，离散度就无法保证，说明SSD此时需要更好的散热。
在浅队列下空盘的表现互相都比较接近，离散表现也不错。90%填充的情况下性能会掉约3%，离散处于勉力维持的状态。
在深队列下空盘的表现依然很好。90%填充的情况下性能会掉约7.5%，离散表现就比较差主要是SLC缓存的影响。
总的来说阿斯加特 AN4 1TB总体表现不错，除非是很极端的情况，不然是不需要考虑额外的散热。
常规产品性能测试大致会分为三段。
开箱性能测试，这个环节可以测试出SSD在最好状态下大致可以达到什么性能。
压力测试，这个环节通过长时间满载写入，用于测试SSD在极端压力下性能会到什么程度。
日常状态测试，在压力测试之后，会通过一小时待机和重新分区让SSD重新恢复，来体现日常使用中的性能表现。
先从文件基准来看。两张图第一张是新盘测试完一些常规BENCHMARK之后进行的，第二张图是全盘擦写之后再跑一轮常规BENCHMARK之后进行的。
HD TUNE大文件读写速度为5922MB/s、5186MB/s，读取较为平稳，写入略有波动。
然后是最有看头的SSD压力测试。在新盘状态下HD TUNE的读写曲线大致在2144.2MB/s、2084.8MB/s。
对SSD的擦除采用HD TUNE对SSD进行持续擦写，这个环节的负载是所有测试中最高的。
AN4 1TB的写入性能大致分为两个阶段。第一阶段0G~50G，写入速度为2400MB/s左右，跑的是SLC缓存。第二阶段50G~1024G，写入速度为910MB/s左右，这个时候应该就已经在缓外了，写入速度为900~2400MB/s左右。
在第二遍写入后，依然会跑在阶段2的速度上。
在完成压力测试后相当于容量用尽状态的测试，读写性能大致在2069.2MB/s、438.5MB/s，读取性能较为稳定，写入性能波动比较大。
在重新分区刷新后，读写性能为2132.1MB/s、2075.8MB/s，基本与初始状态一致。
常规跑分测试：
看一下不同测试软件的跑分情况，AS SSD是8770、8677，AS SSD的跑分表现较好。
CrystalDiskMark、TxBENCH、ATTO这三款软件现在已经变成治愈系的测试软件，所以大家参考一下即可。
简单总结：
产品优点：
- 产品性能已经达到旗舰级的性能水平。
- 原装自带的散热片可以满足大部分的使用需求。
产品缺点：
- 深队列性能相对稍弱。
总体来说，采用长江颗粒、英韧主控的阿斯加特AN4 1TB，已经达到旗舰级的性能水平，整体上来看性能的释放表现没有明显的短板。如果可以进一步提升深队列性能，成为目前最强的方案也并非不可能。
从SSD的芯片构成来看，在这一颗SSD上我们至少可以看到一颗国产的主控颗粒(一般是一颗ARM CPU)和较为成熟的3D堆叠存储颗粒。
这个情况说明，我们国产芯片已经在全套芯片供应的版图上日益成熟，值得欣慰。
